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常温接合は我が国オリジナルな技術であり、この10年間に国際的にも日本が研究開発の拠点となり、低温ヘテロウエハ接合に基づく3Dデバイス積層やMEMS実装に世界的な注目が集まるとともに、一部は量産への適用が具体化してきている。常温接合の対象は、半導体や金属だけでなく、近年はガラスや有機フィルムに及び、シリコンフォトニクスや光マイクロシステムのほか、次世代ディスプレイや太陽電池・燃料電池、さらには、フレキシブル・エレクトロニクスに至るまでの広範な適用可能性が明らかになってきた。海外でも本技術への関心は高まるとともに類似の技術が検討され始め、我が国から始まった常温接合の研究は、むしろ欧米で活況を呈し、翻ると我が国の研究者層の薄さとネットワークの弱さが依然として懸念される状況にある。

このような内外の状況に鑑み、常温接合を単に接合技術としてとらえるのではなく、より基礎的本質的な物質界面の創成技術として、最先端の界面科学、分析技術等を駆使し、新しい界面創成理論として体系づけるとともに、接合信頼性向上や更なる新しい接合プロセス提案のための基礎を研究する学界と、新しいニーズに基づき技術としての展開を図る産業界の研究者が集結する場として、「接合界面創成技術委員会」を設立した。

当委員会では、最新の国内外の研究開発動向を調査することによって、常温接合／表面活性化接合をはじめとする界面創成技術の研究開発の方向を見極めるため、海外を対象とした調査、非公開の定期的な研究会の開催、海外研究者等の招聘によるヒアリング等を行う。それと並行し、下記の３つの視点から、基盤となる課題の抽出と解決策の糸口を探ることで、接合界面創成技術の体系化および新プロセスの提案を目指す。これらの活動を通して、常温接合技術の国際的な研究開発において日本がフラッグシップを掲げ続け、先進的な製造技術を通して日本の産業の発展に寄与することを目的とする。

1．低温接合のデバイス応用・機能創成（スマートデバイスプロセス）
2．接合界面創成の基盤技術の深化と体系（接合プロセス開発）
3．接合界面解析と界面創成メカニズム解明

設置期間 平成27年10月1日〜平成32年9月30日（第1期・5年間）

会員は随時、募集しておりますので、ご関心の方は事務局までご連絡ください。